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参数资料
| 型号： | FDMS8670S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Plating Material Change 13/June/2007 Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS8670SDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
0.1
0.1
with a MOSFET. Figure 14 shows the reverses recovery
characteristic of the FDMS8670S.
0.1
0.01
0.01
1E-3
T A = T J 100 = 100 o C C
T = J o C 100
T J T = = 25 25 C o C
0.01
1E-3
1E-3
1E-4
1E-4
T J o
T A = 125 = C 125 o C
T J = 125 o C
o
o
J
T A = 25 o C
TIME: 12.5nS/Div
1E-5
1E-5 0
0
5 5
5
10 10 15 15 20 20 25 25 30 30
10 15 20 25 30
VDS, REVERSE VOLTAGE (V) (V)
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. FDMS8670S SyncFET Body
Diode reverse recovery characteristics
Figure 15. SyncFET Body Diode reverse
leakage vs drain to source voltage
FDMS8670S Rev.C5
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDMS8848NZ | MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56 |
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| FDMS9620S | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
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| FDN304PZ | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMS8670S_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM |
| FDMS8672AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8672S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8674 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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