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参数资料
| 型号： | FDMS8670S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Plating Material Change 13/June/2007 Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS8670SDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
V DD = 10V
5000
C iss
6
V DD = 15V
V DD = 20V
1000
C oss
4
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
10
20 30 40
50
60
100
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
40
10
T J = 25 o C
T J = 125 o C
120
100
80
60
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
V GS = 4.5V
R JC = 1.6 C/W
20
o
Limited by Package
1
0.01
0.1 1 10 100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
500
100
100us
FOR TEMPERATURES
A
I = I 25
125
10
1
1ms
10ms
100ms
100
V GS = 10V
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
-----------------------
0.1
0.01
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25OC
1s
10s
DC
10
1
SINGLE PULSE
T A = 25 o C
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
0.1
1
10
80
0.6
-3
-2
-1
0
1
2
3
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMS8670S Rev.C5
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS8848NZ | MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56 |
| FDMS8880 | MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56 |
| FDMS9620S | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| FDN302P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| FDN304PZ | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS8670S_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V, 42A, 3.5mз |
| FDMS8670S_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM |
| FDMS8672AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8672S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8674 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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