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参数资料
| 型号： | FDMS9620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21.5 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS9620SDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = 1mA, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 1mA, referenced to 25°C
V DS = 24V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
23
23
1
500
±100
±100
V
mV/° C
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1mA
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 1mA, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1
1
1.6
1.6
-4
-4
3
3
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 7.5A
18
21.5
V GS = 4.5V, I D = 6.5A
Q1
23
29.5
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10V, I D = 7.5A , T J = 125°C
V GS = 10V, I D = 10A
V GS = 4.5V, I D = 8.5A
Q2
25
9
13
32
13
17
m Ω
V GS = 10V, I D = 10A , T J = 125°C
14
22
g FS
Forward Transconductance
V DD = 10V, I D = 7.5A
V DD = 10V, I D = 10A
Q1
Q2
25
27
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
Q2
500
700
665
935
pF
C oss
C rss
R g
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 15V, V GS = 0V, f = 1MHZ
f = 1MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
100
500
65
100
0.9
1.8
135
665
100
150
pF
pF
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q2
11
15
20
27
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V DD = 15V, I D = 1A,
V GS = 10V, R GEN = 6 Ω
Q1
V DD = 15V, V GS = 10V ,I D = 7.5A
Q2
V DD = 15V, V GS = 10V ,I D = 10A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
13
23
27
2.3
7
10
18
1.7
2.8
2.0
3.6
14
24
37
44
10
14
14
25
ns
ns
ns
nC
nC
nC
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS9620S Rev.D2
2
www.fairchildsemi.com
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