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参数资料
| 型号： | FDMS9620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21.5 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS9620SDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
I S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Q1
Q2
2.1
3.5
A
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = 2.1A
V GS = 0V, I S = 3.5A
Q1
I F = 7.5A, di/dt = 100A/ μ s
Q2
I F = 10A, di/dt = 300A/ μ s
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.7
0.5
13
14
4
9
1.2
1.0
V
ns
nC
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by
the user's board design.
2: Pulse Test: Pulse Width < 30 0 μ s, Duty cycle < 2.0%.
a.50°C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
b. 120°C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS9620S Rev.D2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN302P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| FDN304PZ | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
| FDN304P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| FDN306P | MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3 |
| FDN308P | MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS9620S_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMW2512NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V NCH MONOLITHIC COMON DR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN 304P | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
| FDN 337N | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
| FDN 338P | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
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