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参数资料
| 型号： | FDMS9620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21.5 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS9620SDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 7.5A
V DD =10V
1000
8
C iss
6
4
V DD = 15V
V DD = 20V
100
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4
6
8
10
12
30
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
100
10
100
V GS = 10V
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATE
1ms
10ms
10
R θ JA = 120 C/W
T A = 25 C
0.1
R θ JA = 120 o C
T A = 25 o C
THIS AREA IS LIMITED
BY r DS(ON)
100ms
1s
10s
DC
1
SINGLE PULSE
o
o
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-3
-2
-1
0
1
2
3
2
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.1
0.01
t 1
t 2
R θ JA = 120 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS9620S Rev.D2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS9620S_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMW2512NZ | 功能描述:MOSFET 2.5V NCH MONOLITHIC COMON DR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN 304P | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
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| FDN 338P | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
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