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参数资料
| 型号： | FDMS9620S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21.5 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 665pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS9620SDKR |
Typical Characteristics (Q2 SyncFET)
60
2.8
50
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
2.6
2.4
V GS =3.5V
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
40
V GS = 6V
2.2
30
V GS = 3.5V
2.0
1.8
V GS = 4V
V GS = 4.5V
1.6
20
1.4
V GS = 6V
10
0
0.0
0.5
1.0
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.5 2.0
2.5
1.2
1.0
0.8
0
10
20
30
40
V GS = 10V
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. On-Region Characteristics
1.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 13. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
60
1.6
I D = 10A
V GS =10V
50
I D = 5A
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
40
30
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 14. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
60
PULSE DURATION = 300 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 15. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0V
50
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
40
30
20
V DD = 5V
T J =125 o C
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.01
10
0
1
2
T J = 25 o C
T J = -55 o C
3 4
5
0.001
0.0
0.2
T J = -55 o C
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 17. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS9620S Rev.D2
6
www.fairchildsemi.com
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