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参数资料
| 型号： | FDN359BN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDN359BNFSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Sourc e Diode Forward Current
0.42
A
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V,
I S = 0.42 A
(Note 2)
0.7
1.2
V
Voltage
trr
Qrr
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
IF = 2.7A, diF/dt = 100 A/μs
12
3
20
5
ns
nC
otes:
1.
R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) 250 ° C/W when mounted on a
0.02 in 2 pad of 2 oz. copper.
Scale 1 : 1 on letter size paper
b) 270°C/W when mounted on a
minimum pad.
2.
Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μ s, Duty Cycle ≤ 2.0%
FDN359BN Rev A(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDN360P | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 |
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| FDN5618P | MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3 |
| FDN5630 | MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDN359BN"F095 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 0.026OHM 2.7A SUPER 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 0.026OHM, 2.7A, SUPER |
| FDN359BN_F095 | 功能描述:MOSFET 30V NCh; PowerTrench AU Wire Parts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDN359BN-F095 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN360 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
| FDN360P | 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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