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参数资料
| 型号： | FDN359BN |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 46 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 460mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | 3-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDN359BNFSDKR |
Typical Characteristics
15
12
V GS = 10V
4.5V
4.0V
3.5V
2.6
2.2
V GS = 3.0V
9
3.0V
1.8
6
1.4
3.5V
4.0V
4.5V
5.0V
6.0
3
0
2.5V
1
0.6
10.0V
0
0.5
1 1.5
2
2.5
0
3
6 9
12
15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.2
I D = 2.7A
V GS = 10V
0.08
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 1.35A
T A = 25 C
1.1
0.06
1
T A = 125 o C
0.04
0.9
o
0.8
0.02
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
15
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
12
1
9
0.1
T A = 125 C
6
o
T A = 125 C
-55 C
25 C
-55 C
3
o
o
0.01
0.001
o
o
25 o C
0
0.0001
1
1.5
2 2.5 3 3.5
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDN359BN Rev A(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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