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参数资料
| 型号： | FDP13AN06A0 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| 中文描述： | 62 A, 60 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | FDP13AN06A0 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
1.0
1.1
1.2
100
1000
40
3000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0.1
1
10
60
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 62A
I
D
= 31A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDPF14N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65_0610 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDP15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
| FDPF15N65 | 650V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP13AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP13N40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP13N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54ヘ |
| FDP13N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 12A, 0.54?? |
| FDP14AN06LA | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mз |
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