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参数资料
| 型号： | FDP13AN06A0 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
| 中文描述： | 62 A, 60 V, 0.0135 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | FDP13AN06A0 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 Rev. A1
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDB13AN06A0 2 1 3 ; rev August 2002
Ca 12 8 5.1e-10
Cb 15 14 5.1e-10
Cin 6 8 1.3e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 65.40
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 6.9e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 2.91e-9
RLgate 1 9 69
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 29.1
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 3.0e-3
Rgate 9 20 3.77
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 5.5e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*160),6))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.5E-11 N=1.08 RS=3.3e-3 TRS1=2.2e-3 TRS2=2.5e-9
+ CJO=0.9e-9 M=5.1e-1 TT=1e-9 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.5e-1 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=4.1e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.45)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.5 KP=6 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.77)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.3 KP=50 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.88 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.77e+1 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9e-4 TC2=-5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.5e-2 TC2=4e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1.8e-3 TC2=1.7e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.3e-3 TC2=-1.0e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.5e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-5)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-1.5)
.ENDS
*Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
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RBREAK
RVTEMP
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VBAT
RVTHRES
IT
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S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
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MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
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LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
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MMED
MSTRO
DRAIN
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LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
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RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
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ESG
LGATE
RLGATE
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP13AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDP13N40 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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