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参数资料
型号： FDP13AN06A
厂商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
中文描述： N沟道的PowerTrench MOSFET的60V的62A条，13.5mз
文件页数： 6/11页
文件大小： 300K
代理商： FDP13AN06A
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 Rev. A1
F
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18.
Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
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0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
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Q
g(TH)
Q
gs
V
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= 2V
0
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gs2
Q
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V
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= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
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PDF描述
FDB13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm
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