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参数资料
| 型号： | FDP5500 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 269nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3565pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.15
1.10
I D = 1mA
1.0
1.05
0.8
1.00
0.95
0.6
0.90
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0.85
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
8
1000
C iss
C oss
6
4
V DD = 20V
V DD = 30V
V DD = 40V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
2
100
0.1
1 10
80
0
0
20
40 60 80 100
120
140
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDP5500_F085 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDP5645_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP5680 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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