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参数资料
| 型号： | FDP8030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 187W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP8030L-ND FDP8030LFS |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings (Note 1)
W DSS
Single Pulse Drain-Source
V DD = 20 V,
I D = 80 A
1500
mJ
Avalanche Energy
I AR
Maximum Drain-Source Avalanche
80
A
Current
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
Drain–Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
30
23
V
mV/ ° C
I DSS
I GSSF
I GSSR
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage, Forward
Gate–Body Leakage, Reverse
V DS = 24 V,
V GS = 20 V,
V GS = –20 V
V GS = 0 V
V DS = 0 V
V DS = 0 V
10
100
–100
μ A
nA
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
1
1.5
–5
2
V
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain–Source
On–Resistance
V GS = 10 V,
I D = 80 A
T J =125 ° C
3.1
4.0
3.5
5.6
m ?
V GS = 4.5 V,
I D = 70 A
3.6
4.5
I D(on)
g FS
On–State Drain Current
Forward Transconductance
V GS = 10 V,
V DS = 10 V,
V DS = 10 V
I D = 80 A
60
170
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 15 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
10500
2700
1650
pF
pF
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t D(on)
t r
t D (off)
t f
Q g
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge
V DD = 15 V,
V GS = 4.5 V,
R GS = 10 ?
V DS = 15 V,
I D = 50 A,
R GEN = 10 ?
20
185
160
200
120
35
225
200
240
170
ns
ns
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
I D = 80 A, V GS = 5 V
27
48
nC
nC
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
(Note 1)
(Note 1)
80
300
A
A
V SD
Drain–Source Diode Forward Voltage
V GS = 0 V,
I S = 80 A
(Note 1)
1
1.3
V
Notes:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
FDP8030L/FDB8030L Rev C2(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP80N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8440 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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