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参数资料
| 型号： | FDP8030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 187W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP8030L-ND FDP8030LFS |
Typical Characteristics
100
3.0V
3
80
4.5V
2.5
V GS = 2.5V
3.5V
60
2
40
1.5
3.0V
3.5V
20
2.5V
1
4.5V
6.0V
10V
0
0
0.5 1 1.5
2
0.5
0
20
40 60 80
I D , DRAIN CURRENT (A)
100
120
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.01
1.6
I D = 80A
0.009
I D = 40A
1.4
V GS = 10V
0.008
0.007
1.2
1
0.8
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
2
3
4 5 6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
7
8
60
50
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 10V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
60
10
40
1
T A = 125°C
30
T A = 125°C
25°C
-55°C
0.1
25°C
-55°C
20
10
0.01
0.001
V GS = 0V
0
1
2 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDP8030L/FDB8030L Rev C2(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| FDP8440 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| FDP8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
| FDP8443_F085 | MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 |
| FDP8447L | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP80N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8440 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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