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参数资料
| 型号： | FDP8030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 80A TO220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 187W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP8030L-ND FDP8030LFS |
Typical Characteristics
10
18000
8
I D = 80A
V DS = 5V
10V
15V
10000
C iss
6
4
5000
2000
C oss
2
1000
V GS = 0V
C rss
0
0
40
80 120 160
200
240
500
0.1
0.5 1 2 5 10
30
600
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
5000
100
100 μ s
4000
3000
SINGLE PULSE
R θ JC = 0.8°C/W
T C = 25°C
THIS AREA IS
R θ JC = 0.8 o C/W
T C = 25 C
MEASURED DATA
10
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
CURVE BENT TO
o
1 ms
10 ms
100 ms
DC
2000
1000
1
0.1
1
10 10
100
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1,000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (mSEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
0.5
D = 0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.1
R θ JC (t) = r(t) * R θ JC
R θ JC = 0.8 °C/W
0.05
0.03
0.05
0.02
P(pk)
t 1
t 2
0.02
0.01
Single Pulse
T J - T C = P * R θ JC (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
50
100
500
1000
t 1 ,TIME (ms)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDP8030L/FDB8030L Rev C2(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP80N06 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| FDP8440 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 |
| FDP8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB |
| FDP8443_F085 | MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 |
| FDP8447L | MOSFET N-CH 40V 12A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8030L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP80N06 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8440 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8441_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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