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参数资料
| 型号： | FDPC8011S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1240pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 800mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDPC8011SFSDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J =
10
I D = 27 A
8
V DD = 10 V
6
V DD = 13 V
4
V DD = 15 V
25 o C unlenss otherwise noted
10000
1000
C iss
C oss
C rss
2
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
10
20 30 40 50
Q g , GATE CHARGE (nC)
60
70
50
0.1
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 20. Gate Charge Characteristics
100
120
100
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
80
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
10
T J = 100 o C
60
T J = 125 o C
40
Limited by Package
R θ JC = 3.5 C/W
20
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 23. Maximum Continouns Drain
Current vs Ambient Temperature
3000
R θ JA = 135 C/W
100
100 μ s
1000
SINGLE PULSE
o
10
100
1 ms
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS ( on )
10 ms
SINGLE PULSE
100 ms
10
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
1s
10s
T A = 25 o C
DC
1
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 24. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 25. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPC8011S Rev.C5
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF045N10A | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
| FDPF085N10A | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPC8012S | 功能描述:MOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPC8013S | 功能描述:MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPC8014S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT9N 30/12 & PT9N 25/12S PWRCLIP |
| FDPC8016S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PT9N 30/12 & PT9N 25/12S IN PWRC |
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