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参数资料
| 型号： | FDPC8011S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A，27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1240pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 800mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDPC8011SFSDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel)
T J = 25 o C unlenss otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
0.01
t 1
SINGLE PULSE
t 2
R θ JA = 135 C/W
1E-3
(Note 1b)
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
1E-4 -4
10
-3
-2
-1
0
1
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 26. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPC8011S Rev.C5
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDPF085N10A | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDPC8013S | 功能描述:MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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