- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF320N06L (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF320N06L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1470pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 26W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
200
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
5.0V
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
4.0V
175 C
25 C
-55 C
10
3.5V
3.0V
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
2
0.1
o
1
V DS , Drain-Source Voltage[V]
4
1
1
2 3 4
V GS , Gate-Source Voltage[V]
5
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.04
0.03
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
175 C
25 C
10
o
o
V GS = 10V
0.02
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.01
0
20
40 60 80 100
I D , Drain Current [A]
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.5
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 12V
V DS = 30V
1000
C iss
V DS = 48V
100
C oss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
2
40
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
60
0
0
4
*Note: I D = 21A
8 12 16 20
Q g , Total Gate Charge [nC]
24
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF320N06L Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF3860TYDTU | MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F |
| FDPF390N15A | MOSFET N-CH 150V 15A TO-220F |
| FDPF3N50NZ | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220F |
| FDPF44N25T | MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F |
| FDPF51N25YDTU | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF33N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDPF33N25T | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF33N25TRDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF33N25TYDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF3860T | 功能描述:MOSFET 100V 20A 38.2mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。