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参数资料
| 型号： | FDS2670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1228pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2670DKR |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
1.6
6.5V
V GS = 5.5V
15
6.0V
1.4
10
1.2
6.0V
6.5V
10.0V
5
0
5.5V
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.5
I D = 3.0A
V GS = 10V
2
1.5
0.4
0.3
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
I D = 1.5 A
T A = 125 C
1
0.2
o
T A = 25 C
0.5
0
0.1
0
o
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
T A = 125 C
25 C
30
24
18
V DS = 15V
100
10
1
V GS = 0V
o
o
-55 C
o
T A = 125 C
25 C
-55 C
12
6
0
o
o
o
0.1
0.01
0.001
3
4
5
6
7
8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS2670 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | 功能描述:MOSFET 200V 3.9A 70OHM NCH ULTRAFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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