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参数资料
| 型号： | FDS2670 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 3A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1228pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2670DKR |
Typical Characteristics
15
2000
12
I D = 3.0 A
V DS = 40V
70
f = 1MHz
V GS = 0 V
100 V
1500
C ISS
9
1000
6
500
3
C OSS
0
0
C RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
20
40
60
80
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
80
SINGLE PULSE
R θ JA = 125°C/W
T A = 25°C
1
0.1
0.01
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10ms
100ms
1s
10s
DC
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
t 1 , TIME (sec)
0.1
1
10
100
1000
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 125°C/W
0.1
0.1
P(pk)
0.05
t 1
t 2
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS2670 Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | 功能描述:MOSFET 200V 3.9A 70OHM NCH ULTRAFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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