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参数资料
| 型号： | FDS2734 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 117 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2610pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS2734DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
5000
Ciss
8
V DD = 50V
V DD = 125V
1000
Coss
f = 1MHz
V GS = 0V
6
4
V DD = 200V
100
Crss
2
0
0
10 20 30
40
10
0.1
1 10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
V DS ,DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
3.5
3.0
2.5
V GS = 10V
T J = 25 o C
2.0
1
T J = 125 o C
1.5
1.0
0.5
V GS = 6V
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
0.0
25
R θ JA = 50 o C/W
50
75
100
125
150
t AV , TIME IN AVALANCHE (mS)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( o C )
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
10
10
10
10
2
1
10us
4
3
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
10
10
10
150 – T
------------------------
10
10
0
-1
-2
OPERATION IN THIS
SINGLE PULSE
1ms
10ms
100ms
1s
DC
2
1
V GS = 10V
I = I 25
125
A
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-3
-1
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
0
T J = MAX RATED
T A = 25 o C
1
2
3
0
-3
SINGLE PULSE
-2 -1
0
1
2
3
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
FDS2734 Rev. B
4
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
www.fairchildsemi.com
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