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参数资料
| 型号： | FDS4501H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.3A，5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 9.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1958pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS4501HFSDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = –250 μA
Q1
Q2
30
–20
V
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSS
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V DS = –16 V, V GS = 0 V
V GS = +20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
24
–13
1
–1
+100
mV/ ° C
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS = +8 V, V DS = 0 V
Q2
+100
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μA
Q1
1
1.6
3
V
V DS = V GS , I D = –250 μA
Q2
–0.4
–0.7
–1.5
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 9.3 A
V GS = 10 V, I D = 9.3 A, T J = 125 ° C
Q1
Q2
Q1
–4
3
14
21
18
29
mV/ ° C
m ?
V GS = 4.5 V, I D = 7.6 A
17
23
V GS = –4.5 V, I D = –5.6 A
V GS = –4.5 V, I D = –5.6 A, T J = 125 ° C
V GS = –2.5 V, I D = –5.0 A
Q2
36
49
47
46
80
63
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 10 V, V DS = 5 V
Q1
20
A
V GS = –4.5 V, V DS = –5 V
Q2
–20
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 9.3 A
Q1
28
S
Dynami c Characteristics
V DS = 5 V, I D = –5.6 A
Q2
16
C iss
Input Capacitance
V DS = 10 V, V GS = 0 V,
Q1
1958
pF
f = 1.0 MHz
Q2
1312
C oss
Output Capacitance
Q1
424
pF
Q2
240
C rss
Reverse Transfer Capacitance
Q1
182
pF
Q2
106
FDS4501H Rev C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDS4559 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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| FDS4672A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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