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参数资料
| 型号： | FDS4897C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897CDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings
(Note 3)
E AS
I AS
Drain-Source Avalanche
Energy (Single Pulse)
Drain-Source Avalanche
V DD = 40 V, I D = 7.3 A, L = 1 mH
V DD = –40 V, I D =–8.7 A, L = 1 mH
Q1
Q2
Q1
7.3
27
38
mJ
mJ
A
Current
Off Characteristics
Q2
–8.7
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V GS = 0 V, I D = –250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 32 V, V GS = 0 V
V DS = –32 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
All
40
–40
34
–40
1
–1
± 100
V
mV/ ° C
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
Q1
1
1.9
3
V
V DS = V GS , I D = –250 μA
Q2
–1
–1.7
–3
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μA, Referenced to 25 ° C
Q1
Q2
–5
4
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
V GS = 10 V, I D = 6.2 A
Q1
21
29
m Ω
On-Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 4.8 A
V GS = 10 V, I D = 6.2 A, T J = 125 ° C
26
29
36
43
V GS = –10 V, I D = –4.4 A
V GS = –4.5 V, I D = –3.8 A
V GS = –10 V, I D = –4.4 A, T J = 125 ° C
Q2
37
50
55
46
63
73
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 6.2 A
Q1
21
S
Dynamic Characteristics
V DS = –10 V, I D =–4.4 A
Q2
12
C iss
Input Capacitance
Q1
Q1
760
pF
V DS = 20 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q2
1050
C oss
Output Capacitance
Q2
Q1
Q2
100
140
pF
C rss
Reverse Transfer
V DS = –20 V, V GS = 0 V, f = 1.0 MHz
Q1
60
pF
Capacitance
Q2
70
R G
Gate Resistance
f = 1.0 MHz
Q1
1.2
Ω
FDS4897C Rev C(W)
Q2
9
www.fairchildsemi.com
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参数描述 |
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