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参数资料
| 型号： | FDS4897C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897CDKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
30
25
20
V GS = -10V
-6.0V
-4.5V
-4.0V
2.6
2.4
2.2
2
V GS = - 3.5V
15
-3.5V
1.8
-4.0V
1.6
10
1.4
-4.5V
5
-3.0V
1.2
-6.0V
-10V
1
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
5
10
15
20
25
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On-Region Characteristics.
1.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.14
1.5
I D = -4.4A
V GS = - 10V
0.12
I D = -2.2A
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.1
0.08
T A = 125 o C
0.9
0.8
0.7
0.6
0.06
0.04
0.02
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 15. On-Resistance Variation with
Temperature.
25
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
20
V DS = -10V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
15
125 o C
1
T A = 125 o C
10
5
0.1
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics.
FDS4897C Rev C(W)
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
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| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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