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参数资料
| 型号： | FDS4897C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897CDKR |
Typical Characteristics: Q2 (P-Channel)
10
1400
8
I D = -4.4A
V DS = -10V
-20V
1200
C ISS
f = 1 MHz
V GS = 0 V
1000
-30V
6
4
800
600
2
0
400
200
0
C RSS
C OSS
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 19. Gate Charge Characteristics.
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 20. Capacitance Characteristics.
50
SINGLE PULSE
10
1
R DS(ON) LIMIT
1s
10s
1ms
10ms
100ms
100 μ
40
30
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
V GS = -10V
DC
20
0.1
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Maximum Safe Operating Area.
40
SINGLE PULSE
R θ JA = 135°C/W
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 22. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
T J = 25 C
30
20
10
0
T A = 25°C
10
1
o
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1 1
10
t 1 , TIME (sec)
Figure 23. Single Pulse Maximum Peak
Current
FDS4897C Rev C(W)
t AV , TIME IN AVANCHE(ms)
Figure 24. Unclamped Inductive Switching
Capability
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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