- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS4897C (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS4897C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897CDKR |
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
20
V GS = 10V
4.0V
3.5V
3
V GS = 3.0V
16
2.6
12
6.0V
4.5V
2.2
1.8
8
3.5V
3.0V
1.4
4.0V
4.5V
4
0
1
0.6
6.0V
10V
0
0.5
1 1.5 2
2.5
0
4
8 12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
I D = 7.0A
V GS = 10V
1.4
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.07
I D = 3.5A
0.06
0.05
1.2
T A = 25 C
1
0.8
0.6
0.04
0.03
0.02
0.01
o
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
15
V DS = 10V
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
10
0.1
25 o C
-55 C
T A = 125 o C
o
0.01
-55 o C
5
0.001
25 o C
0
0.0001
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
FDS4897C Rev C(W)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
| FDS4935BZ | IC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC |
| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
| FDS5670 | MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC |
| FDS5672 | MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。