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参数资料
| 型号： | FDS4897C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A，4.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS4897CDKR |
Electrical Characteristics
(continued)
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ Max Units
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q1
9
18
ns
t r
Turn-On Rise Time
V DD = 20 V,
V GS = 10V,
I D = 1 A,
R GEN = 6 Ω
Q2
Q1
12
5
22
10
ns
Q2
15
27
t d(off)
t f
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Q2
V DD = –20 V, I D = –1 A,
V GS = –10V, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
Q1
23
45
3
37
72
6
ns
ns
Q2
18
32
Q g
Total Gate Charge
Q1
Q1
14
20
nC
V DS = 20 V, I D = 6.2 A, V GS = 10 V
Q2
20
28
Q gs
Gate-Source Charge
Q2
Q1
Q2
2.4
3
nC
Q gd
Gate-Drain Charge
V DS = –20 V, I D = –4.4 A,V GS =–10 V
Q1
2.8
nC
Drain–Source Diode Characteristics
Q2
4
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward V GS = 0 V, I S = 1.3 A
Voltage
V GS = 0 V, I S = –1.3 A
Q1
Diode Reverse Recovery
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
Q1
0.7
–0.7
17
1.2
–1.2
V
ns
Time
I F = 6.2 A, d iF /d t = 100 A/μs
Q2
24
Q rr
Diode Reverse Recovery
Charge
Q2
I F = –4.4 A, d iF /d t = 100 A/μs
Q1
Q2
7
12
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) 78°C/W when
mounted on a
0.5 in 2 pad of 2 oz
b) 125°C/W when
mounted on a .02 in 2
pad of 2 oz copper
c) 135°C/W when mounted on a
minimum pad.
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
3. BV(avalanche) Single-Pulse rating is guaranteed by design if device is operated within the UIS SOA boundary of the device.
FDS4897C Rev C(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4935A | MOSFET P-CHAN 30V 7A 8SOIC |
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| FDS5351 | MOSFET N-CH 60V 6.1A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4935 | 功能描述:MOSFET 30V P-CH DUAL PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS4935A_Q | 功能描述:MOSFET -30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4935A-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDS4935A Series 30 V 23 mOhm Dual 30V P-Channel PowerTrench Mosfet SOIC-8 |
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