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参数资料
| 型号： | FDS6990AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6990ASDKR |
Typical Characteristics
20
2
15
10
V GS = 10V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
1.8
1.6
1.4
V GS = 3.0V
3.5V
4.0V
5
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
0
2.5V
1
0.8
10V
0
0.5
1
1.5
2
0
4
8 12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.6
0.07
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.4
I D = 7.5A
V GS = 10V
0.06
I D = 3.75A
0.05
1.2
0.04
1
0.8
0.6
0.03
0.02
0.01
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
20
16
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V DS = 5V
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
V GS = 0V
10
1
T A = 125 o C
T A = 125 C
8
o
-55 o C
0.1
25 o C
-55 o C
4
0
25 o C
0.01
0.001
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6990AS Rev. A 2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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