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参数资料
| 型号： | FDS6990AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6990ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
V DS
L
BV DSS
V GS
R GE
DUT
+
V DD
I AS
t P
V DS
V DD
0V
–
V GS
tp
I AS
vary t P to obtain
required peak I AS
0.01 ?
t AV
Figure 15. Unclamped Inductive
Load Test Circuit
Drain Current
Same type as DUT
Figure 16. Unclamped Inductive
Waveforms
+
10V
50k
-
10 F
V GS
1 F
+
–
V DD
10V
Q G(TOT)
DUT
V GS
Q GS
Q GD
I g(REF)
Charge, (nC)
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveform
t ON
t OFF
V DS
R L
V DS
t d(ON)
90%
t r
t d(OFF)
t f
90%
R GEN
V GS
DUT
+
V DD
0V
10%
10%
–
V GS
90%
V GS
Pulse Width ≤ 1 μ s
Duty Cycle ≤ 0.1 %
0V
10%
50%
Pulse Width
50%
Figure 19. Switching Time
Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
FDS6990AS Rev. A 2
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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