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参数资料
| 型号： | FDS6990AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET NCH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6990ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky Body Diode Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in paral-
lel with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar char-
acteristics to a discrete external Schottky diode in parallel with a
MOSFET. Figure 12 shows the reverse recovery characteristic
of the FDS6990AS.
Schottky barrier diodes exhibit signi?cant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
0.1
0.01
T A = 125 ° C
0.001
T A = 100 ° C
0.0001
0.00001
T A = 25 ° C
0.000001
0
5
10
15
20
25
30
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
12.5nS/Div
Figure 14. SyncFET body diode reverse leakage
versus drain-source voltage and temperature.
Figure 12. FDS6990AS SyncFET body diode
reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 13 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an equivalent size
MOSFET produced without SyncFET (FDS6990A).
12.5nS/Div
Figure 13. Non-SyncFET (FDS6990A) body
diode reverse recovery characteristic.
FDS6990AS Rev. A 2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6990A | MOSFET N-CH DUAL 30V 7.5A 8SOIC |
| FDS6994S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8SOIC |
| FDS8433A | MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC |
| FDS8447 | MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC |
| FDS8449_F085 | MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6990AS_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6990AS_NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6990S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6990S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6993 | 功能描述:MOSFET Dual PCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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