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参数资料
| 型号： | FDS8935 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 183 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 879pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8935DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
V GS = -10 V
V GS = -5 V
8 V GS = -4 V
3.0
2.5
V GS = -3 V
6
V GS = -3.5 V
2.0
V GS = -3.5 V
1.5
4
V GS = -3 V
1.0
2
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1 2 3
4
5
0.5
0.0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2 4 6
V GS = -4 V V GS = -5 V
V GS = -10 V
8 10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
I D = - 2.1 A
V GS = -10 V
800
I D = -2.1 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
600
1.2
1.0
400
T J = 150 o C
0.8
0.6
200
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
10
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
6
V DS = -5 V
1
T J = 150 o C
4
0.1
T J = 25 o C
2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8935 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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