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参数资料
| 型号： | FDS8935 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 183 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 879pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS8935DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
1000
I D = -2.1 A
V DD = -20 V
C iss
8
V DD = -40 V
6
4
2
V DD = -60 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
3
6
9
12
15
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
2.2
2.0
T J = 25 o C
1.8
2.5
2.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -10 V
1.5
1.6
1.4
1.2
T J = 125 o C
T J = 100 o C
1.0
0.5
V GS = -4.5 V
Limited by package
R θ JA = 78 C/W
o
1.0
0.1
1
10
0.0
25
50
75
100
125
150
T A , Ambient TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
R θ JA = 135 C/W
T A = 25 C
10
100 us
1 ms
100
V GS = -10 V
SINGLE PULSE
o
o
1
10 ms
THIS AREA IS
0.1
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
TA = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
0.005
0.1
1
10
100
300
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8935 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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