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参数资料
| 型号： | FDS9934C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDS9934C-ND FDS9934CTR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min
Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
V GS = 0 V,
V GS = 0 V,
I D = 250 μA
I D = –250 μA
Q1
Q2
20
–20
V
? BV DSS
? T J
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
Q1
Q2
14
–14
mV/ ° C
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
V DS = 16V,
V DS = –16V,
V GS = ±8 V,
V GS = 0 V
V GS = 0 V
V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
1
–1
±100
μ A
nA
V GS = ±12 V, V DS = 0 V
Q2
±100
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS ,
I D = 250 μA
Q1
0.6
1
1.5
V
V DS = V GS ,
I D = 250 μA
Q2
–0. 6
– 0.9
–1. 2
? V GS(th)
? ? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = 250 uA, Referenced to 25°C
I D = 250 uA, Referenced to 25°C
Q1
Q2
–3
3
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain-Source
V GS = 4.5 V,
I D = 6.5 A
Q1
25
30
m ?
On-Resistance
V GS = 2.5 V, I D = 5.4 A
V GS = 4.5 V, I D =6.5A, T J =125 ° C
35
35
43
50
V GS = –4.5 V, I D = –3.2 A
V GS = –2.5 V, I D = –1.0 A
V GS = –4.5 V,I D = –3.2 A, T J =125 ° C
Q2
43
64
55
55
90
76
m ?
I D(on)
On-State Drain Current
V GS = 4.5V, V DS = 5 V
Q1
15
A
V GS = –4.5 V, V DS = – 5 V
Q2
–16
g FS
Forward Transcoductance
V DS = –5 V,
V DS = 5 V,
I D = 6.5 A
I D = – 5.5 A
Q1
Q2
22
14
S
S
Dynami c Characteristics
C iss
C oss
Input Capacitance
Output Capacitance
Q1
V DS = 10V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
Q1
Q2
Q1
650
955
150
pF
pF
Q2
Q2
215
C rss
Reverse Transfer Capacitance V DS = –10 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
Q1
Q2
85
115
pF
R G
Gate Resistance
V GS = 15 mV,
f = 1.0 MHz
Q1
1.4
?
Q2
4.9
FDS9934C Rev D (W)
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