参数资料
型号: FDS9934C
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装: 2,500
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.5A,5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
其它名称: FDS9934C-ND
FDS9934CTR
Typical Characteristics: Q1 (N-Channel)
5
1000
4
I D = 3 A
V DS = 5V
15V
800
f = 1 MHz
V GS = 0 V
10V
3
2
1
0
600
400
200
0
C rss
C oss
C iss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
40
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
10ms
100ms
1s
30
1
V GS = 4.5V
10s
DC
20
0.1
SINGLE PULSE
0.01
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10
0.01
0.1
1
10
100
0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
0.001
0.01
0.1 1
t 1 , TIME (sec)
10
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDS9934C Rev D( W)
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