参数资料
型号: FDS9958_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 30V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
12
V GS = -10V
V GS = - 4V
2.5
10
8
6
V GS = -5V
V GS = - 4.5V
V GS = -3.5V
2.0
1.5
V GS = -3V
V GS = -3.5V
V GS = -4V
4
2
V GS = -3V
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.0
V GS = -4.5V
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -5V
V GS = -10V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
2
4
6
8
10
12
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = -2.9A
V GS = -10V
240
210
180
150
120
90
I D = -2.9A
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-75
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
60
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
12
10
8
6
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
20
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
4
2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0 1 2 3 4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
5
1E-3
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
1.2
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9958 _F085 Rev. A
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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