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参数资料
| 型号： | FDT434P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1187pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDT434PDKR |
A pril 201 1
FDT434P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced
using Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
to minimize the on-state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance.
Applications
? Low Dropout Regulator
? DC/DC converter
? Load switch
Features
? –5.5 A, –20 V. R DS(ON) = 0.050 ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 0.070 ? @ V GS = –2.5 V.
? Low gate charge (13nC typical)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
? High power and current handling capability in a
widely used surface mount package.
? Motor driving
D
D
S
SOT-223
G
D
G
D
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–6
A
– Pulsed
–30
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
3
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.3
1.1
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
42
12
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
434
Device
FDT434P
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
?201 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FD T434P Rev. C 2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDT439N | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223 |
| FDT457N | MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223 |
| FDT458P | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 |
| FDT86102LZ | MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223 |
| FDT86106LZ | MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDT434P_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??? MOSFET |
| FDT434P_Q | 功能描述:MOSFET SOT-223 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT439N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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