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参数资料
| 型号： | FDT434P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1187pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDT434PDKR |
Typical Characteristics
20
1.8
16
12
V GS = -4.5V
-3.0V
-2.5V
1.6
1.4
V GS = -2.5V
8
4
-2.0V
1.2
1
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
-1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0.8
0
5
10
15
20
1.6
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D = - 6 A
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.15
I D = -6 A
1.4
1.2
1
V GS = - 4.5V
0.12
0.09
0.06
T A =125°C
0.8
0.03
25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
1
2 3 4
- V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
5
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
15
12
V DS = -5V
T J = -55°C
125°C
25°C
15
1
V GS = 0V
TJ = 125°C
25°C
9
6
0.1
-55°C
3
0.01
0
0.9
1.2
1.5 1.8 2.1 2.4
2.7
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
?201 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FD T434P Rev. C 2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDT434P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDT434P_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench??? MOSFET |
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| FDT439N | 功能描述:MOSFET SOT-223 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDT439N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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