参数资料
型号: FDS9958_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 30V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
R θ JA = 135 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
0.005
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9958 _F085 Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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