参数资料
型号: FDS9958_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 60A 8-SOIC
标准包装: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105毫欧 @ 2.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1020pF @ 30V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = -2.9A
V DD = -20V
2000
1000
C iss
6
V DD = -30V
4
100
C oss
2
V DD = -40V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
5
10
15
20
10
0.1
1
10
60
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
3
3.0
2.5
2.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JA = 78 C/W
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1.5
1.0
o
V GS = -4.5V
V GS = -10V
0.5
1
0.01
0.1
1
10
100
0.0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
200
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
0.1ms
1ms
10ms
100ms
100
10
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
0.5 -3
10
10
10
10
10
10
0.1
0.01
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
1s
10s
DC
100 200
1
10
-2
-1 0
t, PULSE WIDTH (s)
1
2
3
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9958 _F085 Rev. A
4
www.fairchildsemi.com
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