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参数资料
| 型号： | FDS9958 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9958DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
12
V GS = -10V
V GS = - 4V
2.5
10
V GS = -3.5V
V GS = -3V
8
V GS = -5V
V GS = - 4.5V
2.0
V GS = -3.5V
V GS = -4V
6
1.5
4
V GS = -3V
V GS = -4.5V
V GS = -5V
2
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.0
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -10V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
2
4
6
8
10
12
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.8
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
240
1.6
I D = -2.9A
V GS = -10V
210
I D = -2.9A
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
180
150
120
90
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
60
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
12
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
10
8
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
10
1
V GS = 0V
T J = 150 o C
6
4
T J = 150 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
2
T J =
25 o C
T J = -55 o C
0.01
0
0
1
2
3
4
5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9958 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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