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参数资料
| 型号： | FDS9958 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V DUAL SO-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105毫欧 @ 2.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1020pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS9958DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = -2.9A
2000
1000
8
6
4
V DD = -30V
V DD = -20V
100
C iss
C oss
2
V DD = -40V
f = 1MHz
C rss
V GS = 0V
0
0
5
10
15
20
10
0.1
1
10
60
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
3
3.0
2.5
2.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = -4.5V
V GS = -10V
R θ JA = 78 C/W
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1.5
1.0
0.5
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0.0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
200
10
0.1ms
100
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R θ JA = 135 o C/W
1
1ms
T A = 25 o C
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
1
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
10
100 200
0.5 -3
10
-2
-1
0
1
2
3
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS9958 Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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