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参数资料
| 型号： | FGA15N120AND |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | FGA15N120AND |
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
0
2
4
6
0
20
40
60
80
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
120
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
25
50
75
100
125
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Common Emitter
V
GE
= 15V
24A
I
C
= 15A
C
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
Vcc = 600V
load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
℃
Powe Dissipation = 40W
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
24A
15A
Common Emitter
T
C
= 25
℃
I
C
= 7.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
24A
15A
Common Emitter
T
C
= 125
℃
I
C
= 7.5A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGA25N120ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
| FGA25N120AND | IGBT |
| FGA25N12ANTD | 1200V NPT Trench IGBT |
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| FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA15N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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