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参数资料
| 型号： | FGA15N120AND |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT |
| 中文描述： | 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 574K |
| 代理商： | FGA15N120AND |
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
5
10
15
20
25
0
100
200
300
400
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
50
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T
C
= 125
℃
T
C
= 25
℃
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
Forward Voltage , V
F
[V]
F
F
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
R
r
Forward Current , I
F
[A]
5
10
15
20
25
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
di/dt = 100A/
μ
s
di/dt = 200A/
μ
s
S
r
Forward Current , I
F
[A]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGA15N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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