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参数资料
| 型号： | FGH30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
Top Mark
Package Packing Method
Reel Size
Tape Width
Quantity
FGH30N60LSDTU
FGH30N60LSD
TO-247
Tube
N/A
N/A
30
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
? B VCES /
? T J
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0 V, I C = 250 uA
V GE = 0 V, I C = 250 uA
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
±250
V
V/ ? C
uA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 250 uA, V CE = V GE
I C = 30 A , V GE = 15 V
I C = 30 A , V GE = 15 V,
T C = 125 ? C
I C = 60 A , V GE = 15 V
4.0
--
--
--
5.5
1.1
1.0
1.3
7.0
1.4
--
--
V
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
Input Capacitance
--
3550
--
pF
C oes
C res
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
--
--
245
90
--
--
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
--
--
18
46
--
--
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
Q g
Q ge
Q gc
L e
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V CC = 400 V, I C = 30 A,
R G = 6.8 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 ? C
V CC = 400 V, I C = 30 A,
R G =6.8 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 125 ? C
V CE = 600 V, I C = 30 A,
V GE = 15 V
Measured 5mm from PKG
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
250
1.3
1.1
21
17
45
270
2.6
1.1
36
225
30
105
7
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
ns
us
mJ
mJ
ns
ns
ns
us
mJ
mJ
nC
nC
nC
nH
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N60LSD Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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