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参数资料
| 型号： | FGH30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 13. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
(Continued)
Figure 14. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
T C = 25 C
T C = 125 C
3000
500
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6.8 ?
o
o
T C = 25 C
1000
t f
t d(off)
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 30A
o
100
10
t r
t d(on)
T C = 125 C
100
0
10
20
30
o
40
50
20
30
40
50
60
70
80
100 T C = 25 C
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
6000
t f
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs
Gate Resistance
500
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 30A
o
T C = 125 C
1000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6.8 ?
o
E off
T C = 25 C
T C = 125 C
t d(off)
o
o
10
E on
100
20
30
40 50 60
Collector Current, I C [A]
70
80
1
5
10
15
20 25 30 35 40
Gate Resistance, R G [ ? ]
45
50
Figure 17.Switching Loss vs Collector Current
100
Figure 18. Turn-Off Switching
SOA Characteristics
200
100
E off
10
T C = 25 C
T C = 125 C
V GE = 15V, T C = 125 C
1
0.1
E on
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6.8 ?
o
o
10
1
Safe Operating Area
o
10
20
30
40
50
60
70
80
1
10 100 1000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N60LSD Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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