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参数资料
| 型号： | FGH30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Saturation Voltage vs. Vge
(Continued)
Figure 8. Capacitance characteristics
T C = 125 C
20
16
Common Emitter
o
13000
10000
C ies
12
C oes
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 C
8
4
30A 60A
1000
C res
o
0
I C = 15A
100
50
0
4 8 12 16
20
0
5 10 15 20 25
30
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
Figure 9. Gate Charge Characteristics
15
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 10. SOA Characteeristics
300
12 T C = 25 C
9
Common Emitter
I C = 30A
o
V cc = 100V
300V
200V
100
10
I c MAX (Pulsed)
I c MAX (Continuous)
50 ? s
100 ? s
1ms
6
1 Single Nonrepetitive
Pulse T C = 25 C
3
o
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
DC Operation
0
0
50
100 150 200
Gate Charge, Q g [nC]
250
0.1
0.1
1 10 100 1000
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 11. Load Current Vs. Frequency
Figure 12. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
80
70
60
50
40
V cc = 400V
load Current : peak of square wave
200
100
t r
T C = 25 C
30
20
Duty cycle : 50%
t d(on)
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 30A
o
T c = 100 C
T C = 125 C
10
0
0.1
o
Powe Dissipation = 192W
1 10 100
Frequency, f [kHz]
1000
10
0
10
o
20 30
Gate Resistance, R G [ ? ]
40
50
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N60LSD Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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