参数资料
型号: FGH30N60LSDTU
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247
产品变化通告: Lead Frame Change 20/Dec/2007
产品目录绘图: IGBT TO-247 Package
标准包装: 150
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 600V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 1.4V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 60A
功率 - 最大: 480W
输入类型: 标准
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
产品目录页面: 1610 (CN2011-ZH PDF)
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
V FM
I RM
t rr
t a
t b
Q rr
I F = 15 A
I F = 15 A
V R = 600 V
I F =1 A, di F /dt = 100 A/ ? s, V R = 30 V
I F =15 A, di F /dt = 100 A/ ? s, V R = 390 V
I F =15 A, di F /dt = 100 A/ ? s, V R = 390 V
T C = 25 ? C
T C = 125 ? C
T C = 25 ?? C
T C = 25 ? C
T C = 25 ? C
T C = 25 ? C
T C = 25 ? C
T C = 25 ?? C
-
-
-
-
-
-
-
-
1.8
1.6
-
-
-
18
13
27.5
2.2
-
100
35
40
-
-
-
V
V
? A
ns
ns
ns
ns
nC
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N60LSD Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FGH40N60SFDTU IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247
FGH40N60SFTU IGBT 600V 80A TO-247
FGH40N60SMDF IGBT 600V 40A TO-247
FGH40N60SMD IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
FGH40N60UFDTU IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247
相关代理商/技术参数
参数描述
FGH30N6S2 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V SMPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGH30N6S2_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FGH30N6S2D 功能描述:IGBT 晶体管 Comp 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGH30N6S2D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
FGH30S130P 功能描述:IGBT 晶体管 1300V 30A FS SA Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube