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参数资料
| 型号： | FGH30N60LSDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | IGBT TO-247 Package |
| 标准包装： | 150 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 60A |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1.Typical Output Characteristics
90
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
90
T C = 25 C
T C = 125 C
60
30
0
o
V GE = 20V
15V
12V
10V
8V
60
30
0
o
V GE = 20V
15V
12V
10V
8V
0
1 2 3
4
0
1 2 3
4
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteritics
90
Common Emitter
V GE = 15V
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 4. Transfer characteristics
90
Common Emitter
V CE = 20V
T C = 25 C
T C = 125 C
T C = 25 C
T C = 125 C
60
30
o
o
60
30
o
o
0
0
1 2
3
0
0
2
4 6 8 10
12
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
1.4
Common Emitter
V GE = 15V
Gate-Emitter Voltage,V GE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. Vge
20
Common Emitter
T = 25 C
1.2
60A
16
C
o
12
1.0
30A
0.8
I C = 15A
8
4
30A
60A
0.6
0
I C = 15A
Case Temperature, T C [ C]
25
50 75 100
o
125
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, V GE [V]
20
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH30N60LSD Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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