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参数资料
| 型号： | FGH60N60SMD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics of the IGBT
(Continued)
Symbol
Q g
Q ge
Q gc
Parameter
Total Gate Charge
Gate to Emitter Charge
Gate to Collector Charge
Test Conditions
V CE = 400 V, I C = 60 A,
V GE = 15 V
Min.
-
-
-
Typ.
189
20
91
Max
284
30
137
Unit
nC
nC
nC
Electrical Characteristics of the Diode
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max
Unit
T C = 25 C
T C = 175 C
V FM
E rec
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Energy
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 30 A
I F =30 A, di F /dt = 200 A/ ? s
o
T C = 175 o C
T C = 175 o C
T C = 25 o C
T C = 175 o C
T C = 25 o C
o
-
-
-
-
-
-
-
2.1
1.7
79
30
72
44
238
2.7
-
-
39
-
62
-
V
uJ
ns
nC
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SMD Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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