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参数资料
| 型号： | FGH60N60SMD |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 60A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 120A |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Mechanical Dimensions
Figure 27. TO-247 3L - TO-247,MOLDED,3 LEAD,JEDEC VARIATION AB
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?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SMD Rev. C1
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH60N60UFDTU | IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
| FGH75N60UFTU | IGBT N-CH 600V 75A TO-247 |
| FGH80N60FD2TU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGH80N60FDTU | IGBT 600V 80A TO-247 |
| FGI3236_F085 | IGBT IGNITION N-CH 360V I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH60N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT |
| FGH60N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH60N6S2 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| FGH75N60SF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 75A Field Stop IGBT |
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